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반도체4

[Ion Implantation] 이온 주입 과정 중 발생하는 defects 이온 주입 과정에서 발생하는 결함들에 대해 설명하고, 방지할 수 있는 방법과 curing 하는 방법을 제시하시오.   DefectsChanneling & Shadowing : tilt and roatation(twist), maskingMicroscopic Defects : vacancy,interstitial, inpurity, dislocation, etc.Macroscopic Defects : Sub-threshold Defect, End-of-Range(EOR) Defect, Clamshell Defect, etc.Transient Enhanced Diffusion(TED)  curingSolid Phase Epitaxy(SPE) : amorphous 한 상태를 다시 regrowth 해야하는데, .. 2024. 11. 14.
[Ion Implantation] Diffusion과 비교하기 Doping 관점에서 열확산과 이온 주입기술에 대해 비교 설명하시오.DiffusionIon Implantation• Gas 형태의 dopant atom을 사용한다.• Lateral 방향으로 dopant diffusion이 발생하기에 scaling의 한계 존재• Dopant 농도 position 컨트롤 어려움, 무조건 표면의 농도가 가장 높음• 그에 따라서 중첩 이온 분포 형성 어려움• 고온 공정이므로 hard mask 필요• 큰 에너지(속도)의 dopant ion을 사용한다.• Lateral 방향 dopant 분포 감소• Dopant 농도 position 컨트롤 가능 (에너지를 다르게 하여 깊이 조절 가능)• 그에 따라서 중첩 이온 분포 형성 가능• 저온 공정이므로 photoresist 사용 가능• 단점.. 2024. 11. 13.
[Ion Implantation] Ion Stopping Power Ion stopping power에 대해 기술하시오. 이온 에너지 감소에는 1)Nuclei Stopping Power, 2)Electronic Stopping Power 가 영향을 준다.  Nuclei Stopping Power는 이온이 핵과 상호작용 하는 것이다. 이온이 에너지를 잃는 만큼 웨이퍼가 그 데미지를 얻는다. 에너지가 클수록 반발력에 의한 각도가 줄어든다. Electronic Stopping Power는 Non-Local 상황에선이온이 전자의 바다를 지나며 정전기적 인력이 발생하는 것이다. Local 상황에선 이온이 내부 전자에 에너지와 moment를 전달한다.질량 상관없이 에너지에 의존한다.(1/2제곱에 비례) 질량이 큰 ion일수록 energy loss가 크다.As, P와 같은 무거운 원.. 2024. 11. 11.
[MRAM] 뉴메모리 MRAM의 동작 및 역사 뉴메모리의 등장 반도체 소자의 Cell Size가 감소되면서, 여러 문제가 발생하였다. DRAM의 경우 cell이 계속 작아지며 트렌지스터 특성 열화, capacitor 공정 난이도 상승이 일어났고 NAND의 경우 3D 구조 적층 공정 난이도 증가.. SRAM의 경우 chip 내 SRAM 면적 비중이 증가하며 cost와 파워소모가 증가하였다. 사이즈 스케일링의 한계공정 기술 난이도 증가전력 소모 감소 요구 증가새로운 응용분야 대응등의 이유에 의해 새로운 메모리의 개발을 필요하였고, 이에 뉴메모리에 대한 연구가 계속되고 있다. 메모리의 분류 메모리는 다음과 같이 분류된다. 전원 공급이 끊기면 데이터가 사라지는 휘발성, 그렇지 않은 비휘발성 부터 나뉘며, 뉴메모리는 모두 비휘발성 메모리이고 MRAM, PRA.. 2024. 11. 8.

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