[Ion Implantation] 이온 주입 과정 중 발생하는 defects

이온 주입 과정에서 발생하는 결함들에 대해 설명하고, 방지할 수 있는 방법과 curing 하는 방법을 제시하시오.

 

 

 

Defects

• Channeling & Shadowing : tilt and roatation(twist), masking
• Microscopic Defects : vacancy,interstitial, inpurity, dislocation, etc.
• Macroscopic Defects : Sub-threshold Defect, End-of-Range(EOR) Defect, Clamshell Defect, etc.
• Transient Enhanced Diffusion(TED)

 

 

curing

• Solid Phase Epitaxy(SPE) : amorphous 한 상태를 다시 regrowth 해야하는데, crystal substrate에서 single crystal 성장하는 방법이 아닌, crystal substrate에 이어서 성장하는 방법으로, 핵성장 필요가 없기에 더 적은 에너지로 growth 가능.
• Anneal 
  defect curing(개수 줄고 크기 커짐), dopant activation
  높은 온도로 짧게 열처리 하는게 핵심
  -> side effect : dopant diffuion 증가