[Ion Implantation] Diffusion과 비교하기

 

Doping 관점에서 열확산과 이온 주입기술에 대해 비교 설명하시오.

Diffusion	Ion Implantation
• Gas 형태의 dopant atom을 사용한다. • Lateral 방향으로 dopant diffusion이 발생하기에 scaling의 한계 존재 • Dopant 농도 position 컨트롤 어려움, 무조건 표면의 농도가 가장 높음 • 그에 따라서 중첩 이온 분포 형성 어려움 • 고온 공정이므로 hard mask 필요	• 큰 에너지(속도)의 dopant ion을 사용한다. • Lateral 방향 dopant 분포 감소 • Dopant 농도 position 컨트롤 가능 (에너지를 다르게 하여 깊이 조절 가능) • 그에 따라서 중첩 이온 분포 형성 가능 • 저온 공정이므로 photoresist 사용 가능 • 단점: 에너지가 큰 이온을 사용하기에 격자 결함의 형성