반응형 반도체/반도체 제품3 [PRAM] PRAM의 동작원리 PRAM이란?PRAM은 phase-change RAM으로, 기본적인 원리는 결정 부분을 heater로 녹여서 amorphous하게 만들면 저항이 높아지는데, 이 경우를 RESET state라고 부르고 DATA "1"로 처리한다. 평상시 저항이 작은 상태는 SET State라고 한다. Data Write 방식Current pulse의 크기와 시간을 조절하면 반복적으로 Set 상태와 Reset 상태를 만들수 있음. Reset Write : 상변화 물질을 빠르게 비정질로 녹이고, Quenching 해야하기에 높은 전류를 짧게 준다. (수십 ns)Set Write : 상변화 물질의 결정화를 위한 annealing을 해야 하므로 적당한 전류를 길게 준다. (수백 ns) 왼쪽 그래프가 reset write.. 2024. 11. 26. [MRAM] MRAM 동작 원리 [MRAM] 뉴메모리 MRAM의 동작 및 역사뉴메모리의 등장 반도체 소자의 Cell Size가 감소되면서, 여러 문제가 발생하였다. DRAM의 경우 cell이 계속 작아지며 트렌지스터 특성 열화, capacitor 공정 난이도 상승이 일어났고 NAND의 경우 3D 구조 jubrodev.tistory.com저번 시간에 이어서 MRAM의 동작원리에 대해서 더 자세하게 알아보고자 한다. MRAM의 동작에 있어 가장 중요한 부분은 TMR이라고 한다. TMR이 커야지 신호차이를 인식하기 좋기 때문이다. DRAM sense amplifier에 delta Vbl과 같은 느낌이라고 생각하면 된다. 그리고 이 TMR은 온도가 증가할수록 작아진다. sensing에 불리한 것이다. 그래서 고온에서는 이 reading mar.. 2024. 11. 17. [MRAM] 뉴메모리 MRAM의 동작 및 역사 뉴메모리의 등장 반도체 소자의 Cell Size가 감소되면서, 여러 문제가 발생하였다. DRAM의 경우 cell이 계속 작아지며 트렌지스터 특성 열화, capacitor 공정 난이도 상승이 일어났고 NAND의 경우 3D 구조 적층 공정 난이도 증가.. SRAM의 경우 chip 내 SRAM 면적 비중이 증가하며 cost와 파워소모가 증가하였다. 사이즈 스케일링의 한계공정 기술 난이도 증가전력 소모 감소 요구 증가새로운 응용분야 대응등의 이유에 의해 새로운 메모리의 개발을 필요하였고, 이에 뉴메모리에 대한 연구가 계속되고 있다. 메모리의 분류 메모리는 다음과 같이 분류된다. 전원 공급이 끊기면 데이터가 사라지는 휘발성, 그렇지 않은 비휘발성 부터 나뉘며, 뉴메모리는 모두 비휘발성 메모리이고 MRAM, PRA.. 2024. 11. 8. 이전 1 다음
