반응형 ion implantation2 [Ion Implantation] Diffusion과 비교하기 Doping 관점에서 열확산과 이온 주입기술에 대해 비교 설명하시오.DiffusionIon Implantation• Gas 형태의 dopant atom을 사용한다.• Lateral 방향으로 dopant diffusion이 발생하기에 scaling의 한계 존재• Dopant 농도 position 컨트롤 어려움, 무조건 표면의 농도가 가장 높음• 그에 따라서 중첩 이온 분포 형성 어려움• 고온 공정이므로 hard mask 필요• 큰 에너지(속도)의 dopant ion을 사용한다.• Lateral 방향 dopant 분포 감소• Dopant 농도 position 컨트롤 가능 (에너지를 다르게 하여 깊이 조절 가능)• 그에 따라서 중첩 이온 분포 형성 가능• 저온 공정이므로 photoresist 사용 가능• 단점.. 2024. 11. 13. [Ion Implantation] Ion Stopping Power Ion stopping power에 대해 기술하시오. 이온 에너지 감소에는 1)Nuclei Stopping Power, 2)Electronic Stopping Power 가 영향을 준다. Nuclei Stopping Power는 이온이 핵과 상호작용 하는 것이다. 이온이 에너지를 잃는 만큼 웨이퍼가 그 데미지를 얻는다. 에너지가 클수록 반발력에 의한 각도가 줄어든다. Electronic Stopping Power는 Non-Local 상황에선이온이 전자의 바다를 지나며 정전기적 인력이 발생하는 것이다. Local 상황에선 이온이 내부 전자에 에너지와 moment를 전달한다.질량 상관없이 에너지에 의존한다.(1/2제곱에 비례) 질량이 큰 ion일수록 energy loss가 크다.As, P와 같은 무거운 원.. 2024. 11. 11. 이전 1 다음