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이온주입공정2

[Ion Implantation] 이온 주입 과정 중 발생하는 defects 이온 주입 과정에서 발생하는 결함들에 대해 설명하고, 방지할 수 있는 방법과 curing 하는 방법을 제시하시오.   DefectsChanneling & Shadowing : tilt and roatation(twist), maskingMicroscopic Defects : vacancy,interstitial, inpurity, dislocation, etc.Macroscopic Defects : Sub-threshold Defect, End-of-Range(EOR) Defect, Clamshell Defect, etc.Transient Enhanced Diffusion(TED)  curingSolid Phase Epitaxy(SPE) : amorphous 한 상태를 다시 regrowth 해야하는데, .. 2024. 11. 14.
[Ion Implantation] Diffusion과 비교하기 Doping 관점에서 열확산과 이온 주입기술에 대해 비교 설명하시오.DiffusionIon Implantation• Gas 형태의 dopant atom을 사용한다.• Lateral 방향으로 dopant diffusion이 발생하기에 scaling의 한계 존재• Dopant 농도 position 컨트롤 어려움, 무조건 표면의 농도가 가장 높음• 그에 따라서 중첩 이온 분포 형성 어려움• 고온 공정이므로 hard mask 필요• 큰 에너지(속도)의 dopant ion을 사용한다.• Lateral 방향 dopant 분포 감소• Dopant 농도 position 컨트롤 가능 (에너지를 다르게 하여 깊이 조절 가능)• 그에 따라서 중첩 이온 분포 형성 가능• 저온 공정이므로 photoresist 사용 가능• 단점.. 2024. 11. 13.

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