반도체 메모리 개발과 이에 따른 특성 변화

 

 

 

 

 

1-1.반도체 메모리 개발과 특성 변화 이해

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  반도체 메모리 개발에서 효과 공정 스텝 수 증가시 비용 상승이 있음
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  이에 따라 일부 경우에서 비용 절감을 위해 공정 스텝 수를 줄이는 경우가 있음
•  

  전류가 빠른 속도로 비동화될 수록 스위칭 전류가 커지고 라이트 전류와 라이트 스피드 간 트레이드오프 발생
•  

  또한 메모리에서 데이터가 잘 지워지지 않으려 하면 에너지가 많이 들고 셀의 데미지가 많이 가므로 수명이 짧아짐

 

 

 

 

1-2.메모리 시스템과 새로운 메모리 시스템 소개

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  기존 PC나 서버의 메모리 시스템에서 메모리 등급이 있음
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  이 중 L1은 가장 빠르고, L3은 용량이 작으나 속도가 빠름
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  L4는 속도는 느리지만 용량이 큰 것이 필요함
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  새로운 메모리 시스템은 기존 시스템에 문제를 일으키지 않고 새로운 시스템으로 대체할 수 있음

 

 

 

 

1-3.뉴메모리 개발의 어려움과 방안

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  새로운 메모리 시스템 개발에서 기존 시스템이 잘 돌아가도록 하는 것이 중요
•  

  이런 변화를 일으키는 것은 MM이 S램을 대체할 수 있음
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  또한 D램을 대체할 수 있음
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  이때, 이 과정에서 새로운 메모리 시스템이 기존 시스템에 문제를 일으키지 않고 들어갈 수 있어야 함