반응형 CFET monolithic1 [IEDM 2025] 반도체 소자의 발전, FinFET에서의 GAAFET, 그리고 그 너머 3DS-FET (CFET) 기술에 대한 고찰 안녕하세요. 한입반도체입니다.최근 반도체 업계의 올림픽이라 불리는 IEDM 2025에 다녀왔습니다. 이번 Shourt course 중 특히 인상 깊었던 삼성전자 강명길 박사님의 강연, "Limitation and Innovation of transistor technologies" 내용을 바탕으로 차세대 트랜지스터 기술의 흐름과 제 주관적인 분석을 공유해보고자 합니다. 0. 반도체 소자의 발전사 Planar MOSFETPlanar Mosfet에서 Short channel Effect의 한계로, 물리적 scailing의 한계에 봉착하자 90nm 에서는 Stress Engineering(이동도 향상)이, 45nm에서는 HKMG(High-k Metal Gate)가 도입되었습니다. 하지만 구조적 변화 없이.. 2025. 12. 29. 이전 1 다음
