반응형 forksheetfet1 GAAFET의 한계를 넘는 기술들, Forksheet과 BSPDN 삼성의 MBCFET, 인텔의 Ribbonfet등 부르는 이름은 기업마다 살짝씩 다르지만,지금 소자의 최선단의 기술은 Gate All Around Fet, 즉 GAAFET이다물론 이 소자 또한 연구된지는 몇년이 되어서, 이제 beyond GAAFET 기술이 많이 연구되고 있다.그 기술중 Forksheet FET과 BSPDN에 대해 오늘 알아볼 것이다. Forksheet FETForksheetFET은 IMEC이 2017년 처음 제안한 구조다. GAA 나노시트의 확장 개념으로, nMOS와 pMOS 트랜지스터 사이에 절연 유전체 벽(dielectric wall)을 삽입해 두 소자를 매우 가까이 배치할 수 있게 한다.기존 GAA 나노시트에서는 nMOS-pMOS 간격이 일정 수준 이하로 줄면 기생 커패시턴스가 .. 2026. 3. 11. 이전 1 다음
