반응형 저항기반메모리1 [MRAM] 뉴메모리 MRAM의 동작 및 역사 뉴메모리의 등장 반도체 소자의 Cell Size가 감소되면서, 여러 문제가 발생하였다. DRAM의 경우 cell이 계속 작아지며 트렌지스터 특성 열화, capacitor 공정 난이도 상승이 일어났고 NAND의 경우 3D 구조 적층 공정 난이도 증가.. SRAM의 경우 chip 내 SRAM 면적 비중이 증가하며 cost와 파워소모가 증가하였다. 사이즈 스케일링의 한계공정 기술 난이도 증가전력 소모 감소 요구 증가새로운 응용분야 대응등의 이유에 의해 새로운 메모리의 개발을 필요하였고, 이에 뉴메모리에 대한 연구가 계속되고 있다. 메모리의 분류 메모리는 다음과 같이 분류된다. 전원 공급이 끊기면 데이터가 사라지는 휘발성, 그렇지 않은 비휘발성 부터 나뉘며, 뉴메모리는 모두 비휘발성 메모리이고 MRAM, PRA.. 2024. 11. 8. 이전 1 다음
