[학부연구생] 전자수송층 doping을 통한 QLED 효율 향상수송층 doping을 통한 QLED 효율 향상
2024년 여름, 학부연구생 활동을 하였습니다.
반도체 소자에 대해 관심이 있었어서 랩실을 이곳저곳 알아보다가 최희엽 교수님의 나노공정 연구실에서 진행하였습니다.
QLED는 Quantum dot 기반의 발광소자로, Quantum dot은 크기에 따라서 밴드갭이 달라지고, 그에 따라 색이 달라집니다.
QLED 산업은 계속 증가하는 추새입니다.
QLED 소자의 본질적인 문제 중 하나는, 전자와 양공의 이동 속도 차이에 따라서 효율이 감소한다는 것입니다. 이번 학부연구생 연구에선 이 문제를 해결하기 위해 노력할 것입니다.
여러 선행 연구와 논문을 찾아보고, ETL의 ZNMgO에 Cl도핑하는 방향으로 전자 이동속도를 향상 시키는 방향으로 진행하였습니다.
이후 연구는 다 데이터 정리,,,
PVD 장비
여러 layer들을 thermal evaporation 증착하는 pvd 장비, 1.4E-7 Pa 압력에서 공정 진행합니다.
(2번째 사진) EVAPORATION POWER CONTROL 에서 THERMAL CURRENT 를 조절해가면서 증착속도를 조절합니다.
(4번째 사진) 왼쪽 아래 run 누르시면 증착이 시작됩니다. 다이얼로 전류 조절해가면서 aluminium pellet 이 녹는 속도 = 증착속도를 조절하는 원리입니다. 왼쪽위 숫자가 증착속도고 오른쪽 위 숫자가 증착된 층의 두께를 나타내는데요, 5A/sec 정도 속도로 증착하여 150 nm 두께까지 만듭니다.
QD 합성
QD합성에 쓰인 장비들
소자 효율 측정
마지막으로 소자 효율측정에 쓰인 장비들